IRF730 MOSFET Canal N 400V - 5

Con un modo de suspensión de bajo consumo

Ideal para aplicaciones de detección de movimiento

están diseñados para la conmutación de cargas de potencia de hasta 10A - 250VAC

Resistencia de Conducción (RDS): 1

TIP2955 Transistor BJT PNP -60V / -15A TO-247 Celdas Peltier IRF730 MOSFET Canal N 400VTIP2955 Transistor BJT PNP 60V 15A TO 247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es capaz de disipar hasta 90W, aun as, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 60VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipacin mxima. Su juntura es PNP, con un factor de amplificacin (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 5 y