Resistencia de Conducción (RDS): 3 Ω

18 s/60º (6V)

Baquela PCB 13 cm x 15 cm Capa Sencilla FR2 1/0

5%+5) Voltaje AC(V) 600V ± (1

400mV/4V/40V/400V/600V

IRF9530 MOSFET Canal P -100V / -12A TO-220 Cable Resistencia de Conducción (RDS): 3IRF9530 MOSFET Canal P 100V 12A TO 220, esta diseado para soportar un nivel especfico de energa en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha. Estos MOSFET de potencia estn diseados para aplicaciones tales como reguladores de conmutacin, convertidores de conmutacin, controladores de motores, Controladores de rel y controladores para conmutacin bipolar de alta potencia. Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de