6 dBA Vida útil del ventilador (MTBF) 200

🔌 Consumo eficiente de energía

🔬 Arquitectura 3D QLC NAND: Basado en tecnología 3D QLC NAND Flash

diseñada para mantener temperaturas controladas en procesadores exigentes durante juegos

en un solo dispositivo

Disco Duro SSD Samsung 990 2TB NVMe PCIe Gen 4 x4 M.2 2280 Eliminación de virus 6 dBA Vida útil delSobre este producto PCIe Gen 4 x4 NVMe M. 2 2280: interfaz de alta velocidad para cargas exigentes. 2TB de capacidad con memoria Samsung V NAND. Hasta 1,200,000 IOPS de escritura aleatoria 4K: excelente en multitarea y aplicaciones. MTBF de 1,500,000 horas: fiabilidad de nivel exigente. Bajo consumo (4. 3W lectura 3. 8W escritura). Caracterstica Detalles Capacidad 2TB Interfaz PCIe Gen 4 x4 NVMe Formato M. 2 2280 (M Key) Arquitectura Samsung V NAND